SI7370DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
部品番号：
SI7370DP-T1-E3
代替モデル：
SI7370DP-T1-GE3 , LT3845EFE#TRPBF , ADP7183ACPZN-R7 , RJU002N06T106 , SI7850DP-T1-E3 , ACPL-M71T-500E , SI7489DP-T1-E3 , 87022-605TRLF , LTC4365HDDB#TRMPBF , CPI-137-83T , MBRM120ET1G , 632723300011 , SI7469DP-T1-E3 , DLW43SH101XK2L , SN74LVC1G126DRYR
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SI7370DP-T1-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
6V, 10V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
11mOhm @ 12A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
57 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
1.9W (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
9.6A (Ta)
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：8597
数量
単価
国際価格
3000
1.17
3510
6000
1.12
6720
9000
1.09
9810
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