SI3900DV-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
部品番号：
SI3900DV-T1-E3
代替モデル：
MAX6071AAUT12+T , STHS34PF80TR , MAX14752EUE+T , TPS62A01DRLR , SI3932DV-T1-GE3 , SMF17A-TP , PGA205AU , FM24W256-GTR , 015406.3DR , DMN3135LVT-7 , 0154001.DR , 1N4148WX-TP , CAT24C04WI-G , PCA9698DGG , 512 , MAX6071BAUT30+T
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
RoHS の：
YES
SI3900DV-T1-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-TSOP
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
構成：
2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.5V @ 250µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
パワー - 最大：
830mW
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2A
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
4nC @ 4.5V
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