SI3588DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
部品番号:
SI3588DV-T1-E3
代替モデル:
SI3585CDV-T1-GE3  ,  FDC6327C
製造元:
Vishay / Siliconix
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
説明:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
RoHS の:
YES
SI3588DV-T1-E3 仕様
取付タイプ:
Surface Mount
パッケージ・ケース:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ:
6-TSOP
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
構成:
N and P-Channel
FETの特徴:
Logic Level Gate
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
20V
Vgs(th) (最大) @ ID:
450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
7.5nC @ 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
80mOhm @ 3A, 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
2.5A, 570mA
パワー - 最大:
830mW, 83mW
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