FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
FDZ193P仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3A (Ta)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
10 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
1.9W (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-WLCSP (1x1.5)
パッケージ・ケース：
6-UFBGA, WLCSP
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
660 pF @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
90mOhm @ 1A, 4.5V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.7V, 4.5V
