FDD6N25TM
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
FDD6N25TM仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (最大)：
±30V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
250 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
消費電力(最大)：
50W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-252AA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
4.4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
250 pF @ 25 V
