IPI60R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
IPI60R299CPXKSA1仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
600 V
パッケージ・ケース：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
11A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO262-3
消費電力(最大)：
96W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.5V @ 440µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1100 pF @ 100 V
