IPI100N06S3L04XK
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
IPI100N06S3L04XK仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
55 V
パッケージ・ケース：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
5V, 10V
Vgs (最大)：
±16V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO262-3
消費電力(最大)：
214W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.2V @ 150µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
3.8mOhm @ 80A, 10V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
362 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
17270 pF @ 25 V
