IRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Numéro de pièce:
IRF100B202
Modèle alternatif:
2EDF7275FXUMA2  ,  IRFB4410ZPBF  ,  2ED2103S06FXUMA1  ,  PDSE1-S12-S12-S  ,  IRF100B201  ,  IRF1405PBF  ,  1EDN7512BXTSA1  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  2ED2110S06MXUMA1
Fabricant:
IR (Infineon Technologies)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
RoHS:
YES
IRF100B202 Spécifications
Type de montage:
Through Hole
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max):
±20V
Tension drain-source (Vdss):
100 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package d'appareil du fournisseur:
TO-220AB
Colis/Caisse:
TO-220-3
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (maximum):
221W (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id:
4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
116 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
97A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
8.6mOhm @ 58A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
4476 pF @ 50 V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:3600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
2.35
2.35
10
1.96
19.6
100
1.55
155
500
1.32
660
1000
1.11
1110
2000
1.06
2120
5000
1.02
5100
10000
0.99
9900
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