DMN6075S-7

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DMN6075S-7

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23

Numéro de pièce：

DMN6075S-7

Modèle alternatif：

0ZCG0075BF2B , DMN6075S-13 , MMSZ5246B-7-F , MCP73831T-2ACI/OT , SZ1SMB5935BT3G-VF01 , DMG3406L-13 , BAS40W-7-F , ECS-3225MVLC-260-CN-TR , B160-13-F , 2351885-4 , DMN6075SQ-7 , AOZ1212AI , TPD1E10B06DPYR , ECS-3225MVLC-250-CN-TR , CMPT3906G TR PBFREE , DMN6075S-13

Fabricant：

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23

RoHS：

YES

：

DMN6075S-7 DMN6075S-7 DMN6075S-7

DMN6075S-7 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-23-3

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

800mW (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

12.3 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

85mOhm @ 3.2A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

606 pF @ 20 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：140455

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.08

240

6000

0.08

480

9000

0.07

630

30000

0.07

2100

75000

0.06

4500

150000

0.06

9000

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