DMN30H4D0LFDE-7

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DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

Numéro de pièce：

DMN30H4D0LFDE-7

Modèle alternatif：

DMN30H4D0LFDE-13 , TC2320TG-G , FDMA86265P , DMP25H18DLFDE-7 , FDMA86251 , AON7254 , CLX6F-FKC-CNP1ST1E1BB7D3D3 , DMN30H4D0L-13 , ZXMC10A816N8TC , SIA446DJ-T1-GE3 , BSS139H6327XTSA1 , 0679L9150-05 , FDN86265P , NSR05T40P2T5G , DMN30H4D0L-7 , SIA485DJ-T1-GE3

Fabricant：

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN

RoHS：

YES

：

DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.8V @ 250µA

Dissipation de puissance (maximum)：

630mW (Ta)

Tension drain-source (Vdss)：

300 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

2.7V, 10V

Colis/Caisse：

6-PowerUDFN

Package d'appareil du fournisseur：

U-DFN2020-6 (Type E)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

550mA (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

7.6 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

4Ohm @ 300mA, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

187.3 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：8405

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.2

600

6000

0.19

1140

9000

0.18

1620

30000

0.17

5100

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