FGA50T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
Numéro de pièce：
FGA50T65SHD
Modèle alternatif：
NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G
Fabricant：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Description：
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
RoHS：
YES
FGA50T65SHD Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type IGBT：
Trench Field Stop
Colis/Caisse：
TO-3P-3, SC-65-3
Type d'entrée：
Standard
Courant - Collecteur pulsé (Icm)：
150 A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
650 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 50A
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
100 A
Package d'appareil du fournisseur：
TO-3PN
Frais de porte：
87 nC
Condition de test：
400V, 50A, 6Ohm, 15V
Puissance - Max：
319 W
Temps de récupération inversée (trr)：
34.6 ns
Changer d'énergie：
1.28mJ (on), 384µJ (off)
Td (marche/arrêt) à 25°C：
22.4ns/73.6ns
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：2570
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
4.99
4.99
30
3.96
118.8
120
3.39
406.8
510
3.01
1535.1
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