FGA30T65SHD

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FGA30T65SHD

IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN

Numéro de pièce：

FGA30T65SHD

Modèle alternatif：

NCD57000DWR2G , NCD5700DR2G , MIW40N65RA-BP , FGA40T65SHD , SIHP6N40D-BE3 , IHW40N65R6XKSA1 , IKFW40N65ES5XKSA1 , STLINK-V3MODS , NUCLEO-H743ZI2 , MOC3053SM , LNK3696G-TL , ATDS3534UV405B , ABM8-27.120MHZ-10-D1G-T

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >

Description：

IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN

RoHS：

YES

：

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FGA30T65SHD Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type IGBT：

Trench Field Stop

Colis/Caisse：

TO-3P-3, SC-65-3

Type d'entrée：

Standard

Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：

650 V

Courant - Collecteur (Ic) (Max)：

60 A

Courant - Collecteur pulsé (Icm)：

90 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：

2.1V @ 15V, 30A

Package d'appareil du fournisseur：

TO-3PN

Puissance - Max：

238 W

Temps de récupération inversée (trr)：

31.8 ns

Condition de test：

400V, 30A, 6Ohm, 15V

Changer d'énergie：

598µJ (on), 167µJ (off)

Frais de porte：

54.7 nC

Td (marche/arrêt) à 25°C：

14.4ns/52.8ns

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

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