GPA030A135MN-FDR
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Numéro de pièce：
GPA030A135MN-FDR
Fabricant：
SemiQ
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Description：
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
RoHS：
YES
GPA030A135MN-FDR Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type IGBT：
Trench Field Stop
Colis/Caisse：
TO-3P-3, SC-65-3
Type d'entrée：
Standard
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
60 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)：
90 A
Package d'appareil du fournisseur：
TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
2.4V @ 15V, 30A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
1350 V
Temps de récupération inversée (trr)：
450 ns
Puissance - Max：
329 W
Td (marche/arrêt) à 25°C：
30ns/145ns
Frais de porte：
300 nC
Condition de test：
600V, 30A, 5Ohm, 15V
Changer d'énergie：
4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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