GPA025A120MN-ND
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Numéro de pièce：
GPA025A120MN-ND
Fabricant：
SemiQ
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Description：
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
RoHS：
YES
GPA025A120MN-ND Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
50 A
Colis/Caisse：
TO-3P-3, SC-65-3
Type d'entrée：
Standard
Condition de test：
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-3PN
Courant - Collecteur pulsé (Icm)：
75 A
Puissance - Max：
312 W
Temps de récupération inversée (trr)：
480 ns
Type IGBT：
NPT and Trench
Frais de porte：
350 nC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
2.5V @ 15V, 25A
Changer d'énergie：
4.15mJ (on), 870µJ (off)
Td (marche/arrêt) à 25°C：
57ns/240ns
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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