IXFQ60N50P3

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IXFQ60N50P3

MOSFET N-CH 500V 60A TO3P

Numéro de pièce：

IXFQ60N50P3

Modèle alternatif：

IPB081N06L3GATMA1 , NCV33161DMR2G , LM5050MKX-1/NOPB , IXFH44N50P

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 500V 60A TO3P

RoHS：

YES

：

IXFQ60N50P3 IXFQ60N50P3

IXFQ60N50P3 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-3P

Colis/Caisse：

TO-3P-3, SC-65-3

Tension drain-source (Vdss)：

500 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

60A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

96 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

100mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 4mA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

6250 pF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1040W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1616

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

11.02

11.02

30

8.8

264

120

7.88

945.6

510

6.95

3544.5

1020

6.25

6375

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