SUD40N08-16-E3

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SUD40N08-16-E3

MOSFET N-CH 80V 40A TO252

Numéro de pièce：

SUD40N08-16-E3

Modèle alternatif：

SQD50P08-25L_GE3 , 2N7002K-T1-E3 , STD8NF25 , IRLR2908TRPBF , SFH6916 , IXTA08N100D2 , BY203-20STR , LTST-C191KRKT , LTST-C191KGKT , 1N4148W-G3-18 , BSC077N12NS3GATMA1 , NSR0130P2T5G , BLM18SG221TN1D

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 80V 40A TO252

RoHS：

YES

：

SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

40A (Tc)

Colis/Caisse：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-252AA

Tension drain-source (Vdss)：

80 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3W (Ta), 136W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

60 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

16mOhm @ 40A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1960 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：9380

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2000

1.57

3140

6000

1.51

9060

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