SQM110N05-06L_GE3

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SQM110N05-06L_GE3

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Numéro de pièce：

SQM110N05-06L_GE3

Modèle alternatif：

NB3L553MNR4G , MK64FN1M0VLQ12 , SM5A27HE3/2D , SQJ488EP-T2_BE3 , VNB14NV04TR-E , BAV23C-HE3-08 , GSOT36C-HE3-08 , TCUT1300X01 , STW11NK100Z

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

RoHS：

YES

：

SQM110N05-06L_GE3 SQM110N05-06L_GE3 SQM110N05-06L_GE3

SQM110N05-06L_GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

55 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-263 (D2PAK)

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

110 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

110A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

157W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

6mOhm @ 30A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4440 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：3115

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

800

1.82

1456

1600

1.54

2464

2400

1.46

3504

5600

1.41

7896

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