SI9945BDY-T1-GE3

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SI9945BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC

Numéro de pièce：

SI9945BDY-T1-GE3

Modèle alternatif：

MMBT3906-7-F , MAX797HESE+ , LM317LMX/NOPB , MMBT3904-7-F , SI4214DDY-T1-GE3 , LTC4365ITS8-1#TRMPBF , SQ2361ES-T1_GE3 , ACM70V-701-2PL-TL00 , SMD2016B075TF , LT3083EFE#PBF , DMN6066SSD-13 , DMN3033LSDQ-13 , BAT760Q-7 , FDS9945 , EXB-A10P122J

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC

RoHS：

YES

：

SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3

SI9945BDY-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Configuration：

2 N-Channel (Dual)

Tension drain-source (Vdss)：

60V

Puissance - Max：

3.1W

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

5.3A

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

20nC @ 10V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

58mOhm @ 4.3A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

665pF @ 15V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：40289

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.39

975

5000

0.36

1800

12500

0.35

4375

25000

0.35

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