SI9410BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
Numéro de pièce：
SI9410BDY-T1-E3
Modèle alternatif：
SI4178DY-T1-GE3 , MBRS540T3G , TFP410PAP
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
RoHS：
YES
SI9410BDY-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur：
8-SOIC
Colis/Caisse：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (maximum)：
1.5W (Ta)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
23 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
6.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 8.1A, 10V
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Quantité d'emballage standard：1600
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