SI9407BDY-T1-E3

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SI9407BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

Numéro de pièce：

SI9407BDY-T1-E3

Modèle alternatif：

DMP6110SSS-13 , SI9407BDY-T1-GE3 , 2059570571 , SQ9407EY-T1_BE3 , 3221-10-0300-00-TR , DMP6110SSSQ-13 , SQ9407EY-T1_GE3 , MEM2075-00-140-01-A , 2N7002 , 0026013116 , SBRD10200 , JXR0-0011NL , DLW5ATH501TQ2L , AO4421 , 0430450601

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

RoHS：

YES

：

SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3

SI9407BDY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

4.7A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

22 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

5W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

600 pF @ 30 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

120mOhm @ 3.2A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：21705

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.61

1525

5000

0.58

2900

12500

0.55

6875

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