SI8417DB-T2-E1

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SI8417DB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT

Numéro de pièce：

SI8417DB-T2-E1

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT

RoHS：

YES

：

SI8417DB-T2-E1 SI8417DB-T2-E1

SI8417DB-T2-E1 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

12 V

Vgs (Max)：

±8V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

57 nC @ 5 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

900mV @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

14.5A (Tc)

Colis/Caisse：

6-MICRO FOOT®CSP

Package d'appareil du fournisseur：

6-Micro Foot™ (1.5x1)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

21mOhm @ 1A, 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2220 pF @ 6 V

Dissipation de puissance (maximum)：

2.9W (Ta), 6.57W (Tc)

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