SI5449DC-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
Numéro de pièce：
SI5449DC-T1-E3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
RoHS：
YES
SI5449DC-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)：
±12V
Package d'appareil du fournisseur：
1206-8 ChipFET™
Dissipation de puissance (maximum)：
1.3W (Ta)
Vgs(e) (Max) @ Id：
600mV @ 250µA (Min)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
3.1A (Ta)
Colis/Caisse：
8-SMD, Flat Leads
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
85mOhm @ 3.1A, 4.5V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
3000
0.55
1650
6000
0.52
3120
9000
0.5
4500
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