SI4840BDY-T1-GE3

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SI4840BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 19A 8SO

Numéro de pièce：

SI4840BDY-T1-GE3

Modèle alternatif：

SI4840BDY-T1-E3 , SQ4470EY-T1_BE3 , IRF7842TRPBF , EXB-2HV473JV , FDS8447 , 0430451213 , US1M-E3/61T , AO4480 , SWS14412D48A-32.768K , 0022232061 , SB3H100-E3/54 , BAT54KFILM , 1N5351BG , FDS2670 , AO4484

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 40V 19A 8SO

RoHS：

YES

：

SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3

SI4840BDY-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

40 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

50 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

19A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2000 pF @ 20 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

9mOhm @ 12.4A, 10V

Dissipation de puissance (maximum)：

2.5W (Ta), 6W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：11314

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.73

1825

5000

0.69

3450

12500

0.66

8250

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