SI4838DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Numéro de pièce：
SI4838DY-T1-GE3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
RoHS：
YES
SI4838DY-T1-GE3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Package d'appareil du fournisseur：
8-SOIC
Colis/Caisse：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (maximum)：
1.6W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)：
12 V
Vgs (Max)：
±8V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
60 nC @ 4.5 V
Vgs(e) (Max) @ Id：
600mV @ 250µA (Min)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
17A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
3mOhm @ 25A, 4.5V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
2500
1.61
4025
5000
1.54
7700
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