BUK6E3R2-55C,127

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BUK6E3R2-55C,127

MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK

Numéro de pièce：

BUK6E3R2-55C,127

Fabricant：

Nexperia

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK

RoHS：

YES

：

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BUK6E3R2-55C,127 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Grade：

Automotive

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

120A (Tc)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Qualification：

AEC-Q101

Tension drain-source (Vdss)：

55 V

Colis/Caisse：

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.8V @ 1mA

Vgs (Max)：

±16V

Package d'appareil du fournisseur：

I2PAK

Dissipation de puissance (maximum)：

306W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

258 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

3.2mOhm @ 25A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

15300 pF @ 25 V

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