SI5913DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Numéro de pièce：
SI5913DC-T1-GE3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
RoHS：
YES
SI5913DC-T1-GE3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs (Max)：
±12V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
12 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
4A (Tc)
Vgs(e) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
330 pF @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
1206-8 ChipFET™
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 10V
Fonctionnalité FET：
Schottky Diode (Isolated)
Colis/Caisse：
8-SMD, Flat Leads
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
84mOhm @ 3.7A, 10V
Dissipation de puissance (maximum)：
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
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