IRFH5010TRPBF

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IRFH5010TRPBF

MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN

Numéro de pièce：

IRFH5010TRPBF

Modèle alternatif：

IRFH5010TR2PBF , 1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , IRLH5030TRPBF , SP4065-08ATG , TLV6703QDSERQ1 , IPD220N06L3GATMA1 , TDA08H0SB1 , ATL431LIAQDQNR , IRLML9301TRPBF , SQ1464EEH-T1_GE3 , ZXMP6A17E6QTA , FDMS86150 , IRFH5015TRPBF , NSR20F30NXT5G , IRLML0060TRPBF , LT4356HDE-1#PBF , STL100N10F7

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN

RoHS：

YES

：

IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF

IRFH5010TRPBF Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur：

8-PQFN (5x6)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

98 nC @ 10 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 150µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4340 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

9mOhm @ 50A, 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

13A (Ta), 100A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

3.6W (Ta), 250W (Tc)

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