IPP60R125C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
Numéro de pièce:
IPP60R125C6XKSA1
Modèle alternatif:
SIHG100N60E-GE3  ,  IPP60R040C7XKSA1  ,  2EDN7524FXTMA1  ,  2EDN7523FXTMA1
Fabricant:
IR (Infineon Technologies)
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
RoHS:
YES
IPP60R125C6XKSA1 Spécifications
Type de montage:
Through Hole
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max):
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse:
TO-220-3
Tension drain-source (Vdss):
600 V
Package d'appareil du fournisseur:
PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
30A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id:
3.5V @ 960µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
96 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
2127 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximum):
219W (Tc)
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:2071
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
6.09
6.09
50
4.83
241.5
100
4.14
414
500
3.69
1845
1000
3.16
3160
2000
2.97
5940
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