US6M11TR

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US6M11TR

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

Numéro de pièce：

US6M11TR

Modèle alternatif：

2SCR573D3TL1 , TMP75CQDRQ1 , DMN10H170SVTQ-7 , DTA114EU3T106 , DTA143EU3T106 , SSM6L39TU , LF , SSM6L56FE , LM , PJ-036AH-SMT-TR , DMN2004VK-7 , LTC6404HUD-1#PBF , SN74AHC123APWR , US6M2TR , QS6K1TR , DTD113ZUT106 , RJP020N06T100

Fabricant：

ROHM Semiconductor

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

RoHS：

YES

：

US6M11TR US6M11TR US6M11TR US6M11TR US6M11TR US6M11TR US6M11TR US6M11TR US6M11TR

US6M11TR Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Température de fonctionnement：

150°C (TJ)

Colis/Caisse：

6-SMD, Flat Leads

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Configuration：

N and P-Channel

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Puissance - Max：

Vgs(e) (Max) @ Id：

1V @ 1mA

Package d'appareil du fournisseur：

TUMT6

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

1.8nC @ 4.5V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

110pF @ 10V

Tension drain-source (Vdss)：

20V, 12V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

1.5A, 1.3A

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：15203

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.24

720

6000

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