RW1C020UNT2R
MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
Numéro de pièce：
RW1C020UNT2R
Fabricant：
ROHM Semiconductor
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
RoHS：
YES
RW1C020UNT2R Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Température de fonctionnement：
150°C (TJ)
Colis/Caisse：
6-SMD, Flat Leads
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±10V
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.5V, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1V @ 1mA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
2A (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
6-WEMT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
180 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum)：
400mW (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
105mOhm @ 2A, 4.5V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
2 nC @ 4.5 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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