SIHP22N60S-E3
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Numéro de pièce:
SIHP22N60S-E3
Fabricant:
Vishay / Siliconix
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
RoHS:
YES
SIHP22N60S-E3 Spécifications
Type de montage:
Through Hole
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Package d'appareil du fournisseur:
TO-220AB
Colis/Caisse:
TO-220-3
Vgs(e) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss):
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
22A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
110 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
190mOhm @ 11A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
2810 pF @ 25 V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:1600
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