SIHG20N50C-E3

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SIHG20N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

Numéro de pièce：

SIHG20N50C-E3

Modèle alternatif：

IRFP460PBF , SF1600-TAP , 101-166 , IRS2153DSTRPBF , IRFP4227PBF , IRF740PBF , IRFP460APBF , STP45N65M5 , IRFB4227PBF , SIHFR9310TRL-GE3 , IR2153PBF , IRF640NPBF , IRFP3710PBF , TLV7031QDCKRQ1 , SIHG20N50E-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

RoHS：

YES

：

SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur：

TO-247AC

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

20A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

250W (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

500 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

76 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

270mOhm @ 10A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2942 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2885

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3.21

2.54

63.5

100

2.18

218

500

1.94

970

1000

1.66

1660

2000

1.56

3120

5000

1.5

7500

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