FDP030N06

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FDP030N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

Numéro de pièce：

FDP030N06

Modèle alternatif：

30N06 , 1N4001 , IRF5210STRLPBF , SS16T3G , TMCSILENTSTEPSTICK SPI , PPTC081LFBN-RC

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

RoHS：

YES

：

FDP030N06 FDP030N06 FDP030N06 FDP030N06 FDP030N06 FDP030N06

FDP030N06 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

120A (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Colis/Caisse：

TO-220-3

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220-3

Dissipation de puissance (maximum)：

231W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

151 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

3.2mOhm @ 75A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

9815 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2467

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

5.07

5.07

50

4.03

201.5

100

3.44

344

500

3.07

1535

1000

2.63

2630

2000

2.48

4960

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