IRFB3006GPBF

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IRFB3006GPBF

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

Numéro de pièce：

IRFB3006GPBF

Modèle alternatif：

IRFB3006PBF

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

RoHS：

YES

：

IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF

IRFB3006GPBF Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220AB

Colis/Caisse：

TO-220-3

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

300 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

375W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

195A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

2.5mOhm @ 170A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

8970 pF @ 50 V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

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2.11

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