IPB80N06S207ATMA1

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IPB80N06S207ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Numéro de pièce：

IPB80N06S207ATMA1

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

RoHS：

YES

：

IPB80N06S207ATMA1 IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

55 V

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

110 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

80A (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 180µA

Dissipation de puissance (maximum)：

250W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PG-TO263-3-2

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

3400 pF @ 25 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

6.3mOhm @ 68A, 10V

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