IXTT16P60P
MOSFET P-CH 600V 16A TO268
Numéro de pièce：
IXTT16P60P
Modèle alternatif：
IXTT20P50P , SGT120R65AL , IXTH16P60P , 2N7002KW , IXTT10P60 , STB57N65M5 , IXTH20P50P , CDZVT2R10B , STD18N55M5 , TN1625-1000G-TR , IXTX32P60P , 2SJ181-90STL , MBRS3200T3G , DMP45H4D9HK3-13 , IXTK32P60P
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET P-CH 600V 16A TO268
RoHS：
YES
IXTT16P60P Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
16A (Tc)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
92 nC @ 10 V
Colis/Caisse：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Package d'appareil du fournisseur：
TO-268AA
Dissipation de puissance (maximum)：
460W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
720mOhm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
5120 pF @ 25 V
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
13.89
13.89
30
11.25
337.5
120
10.58
1269.6
510
9.59
4890.9
1020
8.8
8976
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