IXTQ26P20P

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IXTQ26P20P

MOSFET P-CH 200V 26A TO3P

Numéro de pièce：

IXTQ26P20P

Modèle alternatif：

IXTQ44P15T

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 200V 26A TO3P

RoHS：

YES

：

IXTQ26P20P IXTQ26P20P

IXTQ26P20P Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Package d'appareil du fournisseur：

TO-3P

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-3P-3, SC-65-3

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

56 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

300W (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

200 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

26A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

170mOhm @ 13A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2740 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1600

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

8

8

30

6.38

191.4

120

5.71

685.2

510

5.04

2570.4

1020

4.53

4620.6

2010

4.25

8542.5

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