IXTA24P085T

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IXTA24P085T

MOSFET P-CH 85V 24A TO263

Numéro de pièce：

IXTA24P085T

Modèle alternatif：

NSVMMBT5550LT1G , IAUS165N08S5N029ATMA1 , IRF640NSTRLPBF , ACPL-K44T-000E , PDZVTFTR4.7B , SK510L-TP , PEM2-S5-S12-D , LT8646SIV#WPBF , 84517-101LF , SK810L-TP , PQQ10W-Q24-S5-S , LM3409HVMY/NOPB , 744242510 , TCAN1042HGVDRBRQ1 , YFZVFHTR10B

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 85V 24A TO263

RoHS：

YES

：

IXTA24P085T

IXTA24P085T Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

24A (Tc)

Vgs (Max)：

±15V

Dissipation de puissance (maximum)：

83W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

TO-263AA

Tension drain-source (Vdss)：

85 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

41 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

65mOhm @ 12A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2090 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：4174

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2.98

2.37

118.5

100

2.02

202

500

1.8

900

1000

1.54

1540

2000

1.45

2900

5000

1.4

7000

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