SIA419DJ-T1-GE3

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SIA419DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Numéro de pièce：

SIA419DJ-T1-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

RoHS：

YES

：

SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

12A (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)：

±5V

Colis/Caisse：

PowerPAK® SC-70-6

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1500 pF @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SC-70-6

Vgs(e) (Max) @ Id：

850mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

29 nC @ 5 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

30mOhm @ 5.9A, 4.5V

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