SI7884BDP-T1-GE3

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SI7884BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7884BDP-T1-GE3

Modèle alternatif：

SIR470DP-T1-GE3 , 5013311007 , LTC3780EG#TRPBF , LTC3611EWP#PBF , TLV9152IDDFR , SI7884BDP-T1-E3 , SIR4602LDP-T1-RE3 , FMMT493TA , SIR873DP-T1-GE3 , INA186A2IDDFR , SMDJ40CA , FMMT723TA , MBR0530T1G , SI7852DP-T1-E3 , NCP45520IMNTWG-H

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

40 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

77 nC @ 10 V

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

58A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

7.5mOhm @ 16A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

3540 pF @ 20 V

Dissipation de puissance (maximum)：

4.6W (Ta), 46W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：5544

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.96

2880

6000

0.91

5460

9000

0.89

8010

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