SI7852ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Numéro de pièce:
SI7852ADP-T1-GE3
Modèle alternatif:
CSD25402Q3A  ,  DMTH8012LPSW-13  ,  SI3440DV-T1-GE3  ,  TSM340N06CP ROG  ,  CSD17313Q2  ,  PETC-04-12-04-01-T-VT-LC  ,  LT3724EFE#PBF  ,  MF-GSMF300/36X-2  ,  LTC7003EMSE#TRPBF  ,  SMF12A-M3-08  ,  3586KTR  ,  BSC123N08NS3GATMA1  ,  DMTH10H010LCTB-13  ,  0997020.WXN  ,  0997010.WXN
Fabricant:
Vishay / Siliconix
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Description:
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
RoHS:
YES
SI7852ADP-T1-GE3 Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max):
±20V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
45 nC @ 10 V
Vgs(e) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss):
80 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
8V, 10V
Package d'appareil du fournisseur:
PowerPAK® SO-8
Colis/Caisse:
PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
30A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum):
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 10A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
1825 pF @ 40 V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:10199
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
3000
1.08
3240
6000
1.03
6180
9000
1
9000
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