SI7611DN-T1-GE3

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SI7611DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8

Numéro de pièce：

SI7611DN-T1-GE3

Modèle alternatif：

SIS443DN-T1-GE3 , FDMC8327L , MM5Z12VT5G , BSC100N06LS3GATMA1 , 1N5819HW-7-F , BSC093N04LSGATMA1 , LT8391EFE#PBF , 150060RS75000 , SQS401EN-T1_BE3 , LM1085ISX-3.3/NOPB , SQJ431EP-T1_GE3 , SI7617DN-T1-GE3 , ACM7060-701-2PL-TL01 , SI7252DP-T1-GE3 , SI7463ADP-T1-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8

RoHS：

YES

：

SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

40 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Type FET：

P-Channel

Température de fonctionnement：

-50°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® 1212-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® 1212-8

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

62 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

18A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

3.7W (Ta), 39W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

25mOhm @ 9.3A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1980 pF @ 20 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：15312

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.78

2340

6000

0.76

4560

9000

0.73

6570

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