SI7460DP-T1-GE3

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SI7460DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7460DP-T1-GE3

Modèle alternatif：

BNX023-01L , SI7461DP-T1-E3 , STPS2L60A , SI7460DP-T1-E3 , SI7431DP-T1-GE3 , OSTVN08A150 , SI7288DP-T1-GE3 , FDD86367-F085 , BZT52B3V0-E3-08 , OSTVN04A150 , MSP430F5510IRGCR , MBRS360T3G , TSM-103-01-T-SH , 1843606 , REF2041AIDDCT

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7460DP-T1-GE3 SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

100 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

11A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

1.9W (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

9.6mOhm @ 18A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：8078

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

1.05

3150

6000

1.01

6060

9000

0.98

8820

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