SI7322DN-T1-GE3

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SI7322DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8

Numéro de pièce：

SI7322DN-T1-GE3

Modèle alternatif：

SI7322DN-T1-E3 , DMN10H170SFG-7 , SIR186DP-T1-RE3 , SIS443DN-T1-GE3 , DMT10H072LFV-7 , 1.14.002.111/0000 , IRFHM3911TRPBF , LTM4607EV#PBF , DMN10H099SFG-7 , SI3493BDV-T1-E3 , FDMC8622

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8

RoHS：

YES

：

SI7322DN-T1-GE3 SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® 1212-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® 1212-8

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

20 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

18A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.4V @ 250µA

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

58mOhm @ 5.5A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

750 pF @ 50 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：18021

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.75

2250

6000

0.72

4320

9000

0.68

6120

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