SI7186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Numéro de pièce：
SI7186DP-T1-GE3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7186DP-T1-GE3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
4.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
80 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
70 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
32A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PowerPAK® SO-8
Colis/Caisse：
PowerPAK® SO-8
Dissipation de puissance (maximum)：
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
12.5mOhm @ 10A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
2840 pF @ 40 V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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