SI7178DP-T1-GE3

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SI7178DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Numéro de pièce：

SI7178DP-T1-GE3

Modèle alternatif：

SIR470DP-T1-GE3 , BUK6Y33-60PX , SIR104LDP-T1-RE3 , SQJ401EP-T2_GE3 , SIS782DN-T1-GE3 , SIR416DP-T1-GE3 , LTST-C191KGKT , SIR846DP-T1-GE3 , SIR474DP-T1-GE3 , SIR882ADP-T1-GE3 , FDB0170N607L , SISA14DN-T1-GE3 , DMN10H220L-7 , SI7812DN-T1-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

RoHS：

YES

：

SI7178DP-T1-GE3 SI7178DP-T1-GE3 SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4.5V @ 250µA

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

14mOhm @ 10A, 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

60A (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® SO-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)：

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

72 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2870 pF @ 50 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：8695

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

1.43

4290

6000

1.38

8280

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