SI7121DN-T1-GE3

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SI7121DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8

Numéro de pièce：

SI7121DN-T1-GE3

Modèle alternatif：

SI7461DP-T1-GE3 , SI7153DN-T1-GE3 , SIS443DN-T1-GE3 , SI7121ADN-T1-GE3 , SI7617DN-T1-GE3 , LTC4007EGN#TRPBF , SI7997DP-T1-GE3 , SIS434DN-T1-GE3 , SIS402DN-T1-GE3 , SI7119DN-T1-GE3 , SIS413DN-T1-GE3 , SI7716ADN-T1-GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8

RoHS：

YES

：

SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Température de fonctionnement：

-50°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Vgs (Max)：

±25V

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® 1212-8

Colis/Caisse：

PowerPAK® 1212-8

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

16A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

65 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

18mOhm @ 10A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1960 pF @ 15 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.7W (Ta), 52W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：13925

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.57

1710

6000

0.55

3300

9000

0.53

4770

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