SI7904BDN-T1-GE3

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SI7904BDN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212

Numéro de pièce：

SI7904BDN-T1-GE3

Modèle alternatif：

SI7232DN-T1-GE3 , SI7904BDN-T1-E3 , DMP2123L-7 , SISB46DN-T1-GE3 , SI7216DN-T1-E3 , SIS990DN-T1-GE3 , ADG719BRTZ-REEL7 , AONR21357 , 5M1270ZT144C5N , SI4204DY-T1-GE3 , HCPL-817-56DE , SIA906EDJ-T1-GE3 , SI7106DN-T1-E3 , TL431BIDBZR , SQA410EJ-T1_GE3

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212

RoHS：

YES

：

SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Configuration：

2 N-Channel (Dual)

Vgs(e) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

Colis/Caisse：

PowerPAK® 1212-8 Dual

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® 1212-8 Dual

Puissance - Max：

17.8W

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

30mOhm @ 7.1A, 4.5V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

24nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

860pF @ 10V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：4505

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.57

1710

6000

0.55

3300

9000

0.53

4770

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