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FDMS8880

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

Numéro de pièce：

FDMS8880

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

RoHS：

YES

：

FDMS8880 FDMS8880 FDMS8880 FDMS8880 FDMS8880 FDMS8880

FDMS8880 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Colis/Caisse：

8-PowerTDFN

Dissipation de puissance (maximum)：

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur：

8-PQFN (5x6)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

33 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1585 pF @ 15 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

8.5mOhm @ 13.5A, 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

13.5A (Ta), 21A (Tc)

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