IRFL024NTRPBF

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IRFL024NTRPBF

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

Numéro de pièce：

IRFL024NTRPBF

Modèle alternatif：

IRFL024NPBF , IRFL9014TRPBF , IRFL024ZTRPBF , IRLML0030TRPBF , IRLL024NTRPBF , ACS772ECB-400B-PFF-T , 2N7002KT1G , IRLL2705TRPBF , ZR431F01TA , BC858CLT1G , ACS772ECB-200B-PFF-T , VS-10MQ100NTRPBF , PC354NJ0000F , IRF540NPBF , CAT25128XI-T2 , ILB1206ER601V , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , IRS2007STRPBF

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

RoHS：

YES

：

IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF

IRFL024NTRPBF Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-223

Tension drain-source (Vdss)：

55 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

400 pF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1W (Ta)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2.8A (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

18.3 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

75mOhm @ 2.8A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：11105

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.28

700

5000

0.25

1250

12500

0.24

3000

25000

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